Effect of fission products on tensile strength of UO<sub>2</sub> Σ3 (111)/[1<math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si1.svg" class="math"><mover accent="true"><mn>1</mn><mo stretchy="true">¯</mo></mover></math>0] and UO<sub>2</sub> Σ11 (1<math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si1.svg" class="math"><mover accent="true"><mn>1</mn><mo stretchy="true">¯</mo></mover></math>3)/[110] grain boundaries from first-principles study

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据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）

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（二）超过询问查证的时间限制人身自由的；